参数	值
产品	未分类
型号编码	ES1AL R3G
说明	未分类   DO-219AB SubSMA
品牌	Taiwan Semiconductor
起订量	1800
最小包	1800
现货	3896 [库存更新时间：2025-04-05]
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	50V
电流 - 平均整流（Io）	1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	950mV
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If	1A
速度	快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间（trr）	35ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	5µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr	50V
不同 Vr，F 时的电容	10pF @ 1V,1MHz
封装/外壳	DO-219AB
封装/外壳	Sub SMA
工作温度 - 结	-55°C ~ 150°C